[00005793]绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法

交易价格： 面议

所属行业： 分析仪器

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610309703.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：邱老师

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所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压V_sub。对于SOI横向功率二极管，根据公式和若已知顶层硅浓度、顶层硅厚度和埋氧层厚度中的任意两项，即可提取第三项。对于体硅横向功率二极管，根据公式和若已知外延层浓度、外延层厚度和衬底浓度中的任意两项，即可提取第三项。本发明为SOI和体硅横向功率二极管结构参数的提取提供了一种简单、非破坏性和高精度的方法。

[00005793]绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法

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