联系人: 黑龙江大学
所在地: 黑龙江哈尔滨市
摘要:本发明公开了一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺,所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2),在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的四个硅磁敏三极管,其中两个硅磁敏三极管在xy平面内沿y轴、相反磁敏感方向对称设置,用于x轴方向磁场分量的检测,另两个硅磁敏三极管在xy平面内沿x轴、相反磁敏感方向对称设置,用于y轴方向磁场分量的检测;并且,在第一硅片上、每个硅磁敏三极管周围制作有隔离环(11)。所述制作工艺结合微电子机械加工技术和双极型工艺,实现了所述单片集成化传感器芯片的工艺制作。本发明所述单片集成二维磁场传感器结构简单,实现了二维磁场的检测,芯片实现了小型化和单片集成化。