[00050472]一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHz LC压控振荡器
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHz LC压控振荡器，采用差分NMOS交叉耦合结构实现，与PMOS交叉耦合结构相比，贡献的寄生电容较小，因而能够获得更高的振荡频率。此外，压控振荡器中的差分电感采用U形传输线差分电感，具有较小的感值，可以进一步提高振荡频率。本发明的振荡电路，其调谐范围为70.97-76.76GHz，在中心频率73.86GHz下，1MHz和10MHz频偏处相位噪声分别为-89.47dBc/Hz和-116.2dBc/Hz，功耗为10.8毫瓦。可作为E-band无线通信系统的本振信号源，也可作为频率综合器中的压控振荡器使用。
