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[00050479]一种能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201410003109.0

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 华东师范大学

进入空间

所在地: 上海上海市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法,其中铜铟铝硒薄膜的组成式为:CuIn1‑xAlxSe2,0≤x≤1,包括步骤:(1)依次使用丙酮、乙醇和去离子水对玻璃衬底进行超声清洗,清洗后置于去离子水中保存;(2)使用磁控溅射方法依次在玻璃衬底上沉积铜铟合金层、铝层、铜层,得到层状的金属薄膜前驱体;(3)将层状的金属薄膜前驱体和硒粉置于石墨盒中,进行后硒化处理,得到能带可调的铜铟铝硒薄膜。本发明通过控制溅射铜铟合金靶和铝靶的时间固定,而改变溅射铜靶的时间,从而获得不同组分比的铜铟铝硒薄膜,实现铜铟铝硒薄膜材料能带的调节。本发明方法简单方便,可实现铜铟铝硒薄膜的能带在微小范围内实现调节。

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