[00050508]MOSFET BSIM3热载流子注入可靠性模型的建模方法
技术详细介绍
摘要：一种MOSFET BSIM3 HCI可靠性模型的建模方法，属于集成电路器件模拟技术领域。在该建模方法中选取与偏压大小条件相关的第一标准参数作，使该方法建立的BSIM3 HCI可靠性模型其具有清晰的物理意义及高度的准确性，能够对不同偏压条件下不同偏压时间的MOSFET电学特性进行准确模拟，其模拟输出曲线能反映MOSFET特性随施压偏压及其偏压时间明显变化的现象。因此，对标准工艺MOSFET HCI效应进行可靠性设计成为可能，大大降低集成电路设计的风险与成本。
