摘要:本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺,包括:S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜;S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻,制备出圆孔阵列图形;S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀,将光刻胶上的图形转移到SiO2层;S4、在样品表面镀一层Cu膜;S5、在丙酮或乙醇中进行超声,通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu;S6、利用CVD-VLS生长工艺,以上述工艺制备的Cu为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,生长Si微米线阵列;S7、在硅线表面镀一层Cu膜;S8、利用CVD-VLS生长工艺,以S7制备的Cu膜为催化剂,以SiCl4为硅源,以H2为载气,在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线,即一种仿壁虎脚微纳分级结构,为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。