[00050765]一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610562022.6

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：华北电力大学

所在地：北京北京市

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技术详细介绍

摘要：本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散硼，之后用氢氟酸去除表面硼硅玻璃，接着继续沉积一层较厚的非晶硅薄膜，并进行快速热退火处理和较长时间常规退火处理。