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[00051165]一种MoO3/MoS2/LiF柔性异质结太阳能电池及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610908370.4

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 华中科技大学

进入空间

所在地: 湖北武汉市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种MoO3/MoS2/LiF柔性异质结太阳能电池及其制备方法。包括聚酰亚胺(PI)柔性衬底、Al背极、MoO3空穴传输层、MoS2电子空穴激发层、LiF电子传输层、石墨烯透明导电层、Al栅极。所述MoO3层采用溶液法低温制备,便于大面积批量生产;MoS2采用CVD法原位硫化形成,同时对MoO3层进行退火,可以减少MoO3空穴传输层与MoS2层之间的界面缺陷,减少了界面污染;热辐射蒸发LiF层,较薄的空穴传输层和电子传输层厚度,一方面减少了串联电阻,另一方面实现了与MoS2、石墨烯等二维层状材料形成良好柔性异质结太阳能电池。MoO3/MoS2/LiF柔性异质结太阳能电池具有低温制备、工艺简单、成本低廉、光电转换效率高、应用范围广等优势。

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