[00051489]一种交直流混合激励下的磁屏蔽框磁损耗的测算方法
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种交直流混合激励下的磁屏蔽框磁损耗的测算方法。该方法在交直流混合激励下，采用瞬态场对平波电抗器模型进行仿真，按磁通密度Bm分布近似相等的原则将磁屏蔽框模型划分为若干个等效均匀域，通过MagNet软件计算出每个等效均匀域一个周期内的所有平均磁场强度H，进而计算出每个等效均匀域中直流偏置磁场强度Hdc，并按划分后的等效均匀域重新建立平波电抗器模型，赋予每个等效均匀域在相应的直流偏置磁场强度Hdc下的Bm‑P损耗特性曲线，再次对重新建模后的平波电抗器模型进行三维有限元瞬态仿真，最终计算出每个等效均匀域的磁损耗，将每个等效均匀域的磁损耗代数相加，即得到磁屏蔽框的磁损耗。该方法减少了计算工作量和计算时间。
