[00051538]一种垂直紫外LED芯片
技术详细介绍
摘要：本实用新型一种垂直紫外LED芯片，涉及至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件，包括N型外延层、多量子阱、P型外延层、Ni/Ag金属电流扩展层、DBR层、P电极塞、键合金属Cr层a、键合金属Au层a、键合金属Au层b、键合金属Cr层b、硅片和N电极；本实用新型采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替现有技术中的垂直紫外LED芯片的金属反射层，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。
摘要：本实用新型一种垂直紫外LED芯片，涉及至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件，包括N型外延层、多量子阱、P型外延层、Ni/Ag金属电流扩展层、DBR层、P电极塞、键合金属Cr层a、键合金属Au层a、键合金属Au层b、键合金属Cr层b、硅片和N电极；本实用新型采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替现有技术中的垂直紫外LED芯片的金属反射层，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。
