[00051539]一种垂直紫外LED芯片的制备方法
技术详细介绍
摘要：本发明一种垂直紫外LED芯片的制备方法，涉及适用于制造至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件的方法，采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替垂直紫外LED芯片的金属反射层，其中，金属电流扩展层Ni/Ag中Ni的厚度控制在5～10Å，Ag的厚度控制在10～40Å，DBR是用电子束蒸发的方法先蒸镀一层厚度为4200～4400Å 的SiO2，然后将TiO2和SiO2交替蒸发，蒸发4～20周期，每个蒸发周期中TiO2的厚度均为278～348Å ，SiO2的厚度均为477～596Å，克服了现有技术中金属反射层对光线的吸收，提高了垂直紫外LED芯片的发光亮度。
