[00051640]锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法
联系人： 河南大学
所在地： 河南开封市
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摘要：本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器，包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层，YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层，YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层，Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点，能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题，同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。
