[00052171]一种半导体结构以其制作方法
联系人： 湖南大学
所在地： 湖南长沙市
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技术详细介绍
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：第一掺杂浓度的P+区、第二掺杂浓度的N+区以及设置在P+区和N+区之间的具有第三掺杂浓度的漂移区；其中，第一掺杂浓度和第二掺杂浓度均高于第三掺杂浓度；所述漂移区包括至少两层高寿命复合层和至少一层低寿命复合层，每层低寿命复合层上下分别紧邻一层高寿命复合层；其中，高寿命复合层中载流子的寿命高于低寿命复合层中载流子的寿命，本发明提供的半导体结构能够提高反向恢复速度，减小关断损耗。
