[00053506]InGaAs薄膜
联系人： 华南理工大学
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技术详细介绍
摘要：本实用新型公开了InGaAs薄膜，依次包括GaAs衬底和GaAs缓冲层、In0.6Ga0.4As大失配缓冲层、In0.3Ga0.7As外延薄膜。其中In0.6Ga0.4As大失配缓冲层和In0.3Ga0.7As外延层都可采用分子束外延生长或金属有机气相沉积技术制备，通过该大失配缓冲层降低由于失配应力造成的各类缺陷，所制备的In0.3Ga0.7As外延层缺陷密度较低，具有缓冲层结构简单、外延生长过程简便、In0.3Ga0.7As外延薄膜缺陷密度低、晶体质量高等优点。
