[00053978]一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法
联系人： 河北大学
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摘要：本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层和电极膜层；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层和所述Ba0.6Sr0.4TiO3膜层之间还具有通过退火工艺形成的互扩散层。本发明中的互扩散层可以俘获电子或空穴，在同一电压下通过电容的高低状态来进行存储；设置Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层具有不同的厚度，可使器件实现不同的存储性能。本发明所提供的双电荷注入俘获存储器，可应用于信息存储和其他种类的集成电路中。
