[00053980]一种c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜及其制备方法
联系人： 河北大学
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摘要：本发明公开了一种c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜，c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜的化学式为Bi1‑xAxCuSeO，其中A代表Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Ag、Na，0≤x≤0.2，所述的c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜的制备方法，包括以下步骤1)按原子摩尔计量比称量配料，并在球磨机中进行研磨，得到混合物料；2)将上述混合物料压制成圆片；3)将上述圆片进行烧结,得多晶陶瓷靶材；4)将靶材放入到PLD腔体中，通过脉冲激光沉积技术在单晶基底上生长c轴取向的热电薄膜；5)控制PLD腔体的压强为10‑3‑10‑4Pa，自然冷却降温，得到沿c轴取向生长的铋铜硒氧基氧化物热电薄膜。该薄膜具有很低的电阻率，表现出优良的热电性能。
