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摘要:本发明提供了一种刻蚀铜锌锡硫薄膜表面二次相的方法。该方法使浓盐酸(质量分数为37.5%)与去离子水按预定体积比进行混合以对浓盐酸进行稀释,稀释后的盐酸溶液置于恒温的水浴锅中,将待刻蚀的薄膜样品置于稀释后的盐酸溶液中,使薄膜样品与盐酸反应一段时间后,再将样品取出,最后用去离子水将薄膜表面冲洗干净,再用氮气枪吹干,则可得到比较单一的纯相CZTS薄膜。本发明采用盐酸溶液浸泡铜锌锡硫薄膜,可有效去除铜锌锡硫薄膜表面的ZnS二次杂相,后续可制得光电性能较好的CZTS太阳电池。本发明相比传统的KCN刻蚀方法简单易操作,成本低且对人的危害性较小。