[00053997]等离子体气相沉积双面材料局域生长装置和方法
联系人： 河北大学
所在地： 河北保定市
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摘要：本发明涉及一种等离子体气相沉积双面材料局域生长装置和方法。本发明材料局域生长装置包括真空反应室、等离子体电源、两个水电极、两个绝缘体边框以及一到两个材料生长基片。通过在两水电极之间设置绝缘体边框，用来定义放电气隙厚度和放电区域，通过更换绝缘体边框，可调节放电气隙厚度或改变放电面积，在向真空反应室注入放电气体和化学气相沉积所需气体后，接通等离子体电源，在两放电气隙内放电形成等离子体柱，在材料生长基片上即可形成薄膜材料的局域生长。本发明通过两个放电气隙的构置，可在基片的两面进行材料局域生长，操作简单，方便高效，工效可成倍提高，并可一次生成相同或不同的薄膜材料，在工业方面具有广泛的应用前景。
