[00053998]一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法
联系人： 河北大学
所在地： 河北保定市
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摘要：本发明公开了一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法，首先将清洗好的衬底放置到对靶磁控溅射装置的基片台上，然后对对靶磁控溅射装置的反应室抽真空，并用氩等离子体清对靶磁控溅射装置的基片台和反应室器壁，再加热基片台，向反应室通入反应气体并调节气压，开启溅射电源并开始非晶氮化硅薄膜的沉积，至得到非晶氮化硅薄膜样品，最后在氢气保护下降温至室温，取出样品，完成氢化非晶氮化硅薄膜的沉积。本发明能够利用对靶磁控反应溅射沉积技术在低温下快速沉积氢化非晶氮化硅薄膜。
