[00054495]一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管
联系人： 华南师范大学
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摘要：本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管，包括超晶格势垒层，所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成，所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合物及其化合物的掺杂来形成一种多周期的超晶格势垒层技术来获得较低位错密度、平滑的HEMT形貌、低的芯片方块电阻，实现高导电性能、高驱动电流与低MOS界面态密度，同时多周期的超晶格势垒层，也提高了沟道层中的二维电子气浓度或二维空穴气浓度。
