[00055040]一种具有梯度组分和厚度应力释放层的发光二极管结构
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摘要：本实用新型公开了一种具有梯度组分和厚度应力释放层的发光二极管结构；该发光二极管结构自下而上依次为蓝宝石衬底、GaN成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN导电层、应力释放层、InGaN/GaN多量子阱有源层和P型GaN导电层；其中，应力释放层由InGaN势阱层和GaN势垒层交替组成；应力释放层的InGaN势阱层的单层厚度为3.4‑2.6nm；从下到上厚度逐渐降低；应力释放层的GaN势垒层的单层厚度为10‑16nm。本实用新型采用组分和厚度渐变应力释放层来减小多量子阱有源区的应力和缺陷密度，提高多量子阱的内量子效率和发光二极管的发光强度。
