[00055043]生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱
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技术详细介绍
摘要：本实用新型属于纳米阵列的多量子阱的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层,生长在AlN/GaN超晶格层上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。本实用新型所选择的衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所获得的多量子阱的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
