[00055047]一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池及制备方法
联系人： 华南理工大学
所在地： 广东广州市
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摘要：本发明公开了一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池，由下至上依次包括非晶态缓冲层、太阳电池层；所述非晶态缓冲层组分为InxGa1-xAs，0.4≤X≤0.8；所述非晶态缓冲层的厚度为1-5nm。本发明还公开了上述具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池的制备方法。本发明简化了缓冲层结构，同时简化了外延生长工艺，可严格控制外延层的厚度、组分、掺杂浓度，从而获得表面形貌好、缺陷密度低、晶体质量高的In0.3Ga0.7As材料及单结或多结太阳电池。
