交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510463501.8
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 华南理工大学
所在地: 广东广州市
摘要:一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置。该薄膜晶体管制备方法包括在基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极,其中,所述有源层使用金属氧化物薄膜制备,并且在制备过程中对所述金属氧化物薄膜进行电化学氧化处理,并将电化学氧化处理后的金属氧化物薄膜构图形成所述薄膜晶体管的有源层。采用该制备方法,能减少金属氧化物薄膜的氧空位、控制其自由载流子浓度,所制备的薄膜晶体管稳定性好。而且,也无需额外使用光刻工艺,对成本影响小。
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