[00055050]双有源层结构氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法
联系人： 华南理工大学
所在地： 广东广州市
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摘要：本发明公开了双有源层结构氧化锌基薄膜晶体管，由下至上依次包括衬底、栅极、栅绝缘介质层、第一氧化锌基半导体有源层、第二氧化锌基半导体有源层、源极和漏极；栅极于衬底上形成，栅绝缘介质层覆盖栅极和衬底，有源层于栅绝缘介质层上形成；第二氧化锌基半导体有源层上设有源电极和漏电极；第一氧化锌基半导体有源层的掺杂元素为Ga、Al、Hf、In、Sn中的一种或两种；第二氧化锌基半导体有源层为掺硅氧化锌薄膜，且电阻值高于第一氧化锌基半导体有源层。本发明可以有效降低氧化锌基薄膜晶体管的关态电流，提高开关电流比，提高可见光范围内的透光性，改善器件的稳定性。
