[00055052]具有调制碳掺杂氮化镓高阻层的HEMT结构及其制备方法
联系人： 华南理工大学
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摘要：本发明公开了具有调制碳掺杂氮化镓高阻层的HEMT结构及其制备方法。该HEMT结构自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaNC/GaN超晶格高阻层和AlGaN势垒层；其中高阻层由多层GaNC故意碳掺杂层和非故意掺杂GaN层交替连接组成；单层GaNC故意碳掺杂层的厚度为5‑500nm；单层非故意掺杂GaN层的厚度为5‑500nm。GaNC/GaN超晶格可以提高氮化镓材料的电阻同时不降低其晶体质量，可以提高GaN/AlGaN异质结HEMT器件的耐高压特性、可靠性和寿命等特性。
