[00055053]一种双层有源层结构的薄膜晶体管及其制备方法
联系人： 华南理工大学
所在地： 广东广州市
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技术详细介绍
摘要：本发明属于显示器件技术领域，公开了一种双层有源层结构的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成；所述有源层由一层绝缘体层和一层半导体层构成，其中半导体层靠近栅极绝缘层；所述的绝缘体层材料为具有绝缘特性的二元氧化物AO，半导体层为具有半导体特性的四元氧化物BCDO，其中A、B、C、D代表不同的金属元素。本发明采用不同的两种氧化物堆叠起来而成为薄膜晶体管的有源层，能够在室温下通过磁控溅射方式制备，制备工艺简单，且不需要退火处理，所得薄膜晶体管具有高迁移率、高稳定性。
