本发明涉及一种涂层及其制备方法。本发明所述的AlN/Si3N4纳米多层膜由AlN和Si3N4形成在金属或陶瓷的基体上,为交替沉积纳米量级的多层结构,各层厚度范围是:AlN层厚度为2.0~12nm,Si3N4层为0.4~12.0nm,总厚度为1.0到5.0微米。制备时,首先将金属或陶瓷基体表面作镜面抛光处理,然后通过在金属或陶瓷的基体上采用纯Al和Si靶进行双靶射频反应溅射方法交替沉积Si3N4层和AlN层,通入高纯的Ar和N2,制取AlN/Si3N4纳米多层膜。AlN/Si3N4多层膜的厚度通过增加多层膜的调制周期数获得。该纳米多层涂层的最大硬度37.8GPa,明显高于其组成材料的。本发明所提供的AlN/Si3N4纳米多层涂层可以获得很高的生产效率。