[00056214]一种具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si 异质结光伏器 件及其制备方法
技术详细介绍
本发明公开一种具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si 异质 结光伏器件，该器件为复合层层状结构，由上至下依次包括 ITO 透 明导电层、Pd 金属层、MoS2 薄膜层、上下表面均具有 SiO2 钝化层 的 Si 单晶基片和金属 In 背电极。其制备方法，主要采用直流磁控溅 射技术、利用高能电子依次轰击不同靶材表面：首先 MoS2 靶材、 然后 Pd 靶材，最后到 ITO 靶材，以溅射出大量离子并先后在经过钝 化处理后的 Si 单晶基片表面上沉积叠加成多层结构材料；并制作出 背电极层即成。本发明的具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si 光伏器件，其光转换效率，相对于现有技术的同类产品，提高了 100%以上。本发明的工艺简单、控制简便，成品率高且制造成本 低，适于工业化生产。
