[00056224]基于钯/二氧化钛/二氧化硅/硅异质结的氢气探测器
技术详细介绍
本发明具体提供了一种以二氧化硅覆盖的硅片为衬底，以 二氧化钛半导体为基体材料，以钯为催化层的高性能氢气探测 器。首先利用射频磁控溅射方法在二氧化硅覆盖的硅衬底上生 长二氧化钛薄膜；然后通过掩膜和直流磁控溅射方法在薄膜表 面制备比二氧化钛膜面积小的钯催化层。本发明利用钯膜的催 化效应和二氧化钛/二氧化硅/硅异质结的放大效应制备的钯/二 氧化钛/二氧化硅/硅异质结氢气探测器具有工艺简单，成本低 廉，无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，灵敏度 高，响应、恢复时间短的特点，对氢气具有良好的检测性能， 具有重要的应用前景。
