[00057174]一种硅量子点的合成方法
技术详细介绍
摘要：本发明提供一种硅量子点的合成方法，首先采用除水除氧后的甲苯做溶剂，使SiCl3-C12H25与LiAlH4反应生成带十二烷基的硅粒子，再将该带烷基的硅粒子烧结，使硅表面的碳基发生碳化，最后得到碳包覆的硅量子点。该硅量子点的制备克服了以往使用剧毒物质氢氟酸刻蚀，高温反应。本发明制备的硅量子点粒径均匀，反应条件温和，生产安全可靠、产品纯度高。在光电信息传输、存贮、处理、运算和显示等方面有应用价值。
摘要：本发明提供一种硅量子点的合成方法，首先采用除水除氧后的甲苯做溶剂，使SiCl3-C12H25与LiAlH4反应生成带十二烷基的硅粒子，再将该带烷基的硅粒子烧结，使硅表面的碳基发生碳化，最后得到碳包覆的硅量子点。该硅量子点的制备克服了以往使用剧毒物质氢氟酸刻蚀，高温反应。本发明制备的硅量子点粒径均匀，反应条件温和，生产安全可靠、产品纯度高。在光电信息传输、存贮、处理、运算和显示等方面有应用价值。
