[00057260]ECR氧-氩等离子体刻蚀技术制备的超薄碳膜及方法
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种ECR氧-氩等离子体刻蚀技术制备的超薄碳膜及方法。该方法利用ECR等离子体加工系统通过氩等离子体溅射沉积碳膜和氧-氩等离子体刻蚀已沉积碳膜两个过程来实现，克服了直接沉积超薄碳膜容易出现的无法形成均匀连续薄膜的缺点，具有重要的应用价值。本发明制备的超薄碳膜，其膜厚范围为1.5～3.5nm，表面均方根粗糙度为0.10～0.12nm。
摘要：本发明公开了一种ECR氧-氩等离子体刻蚀技术制备的超薄碳膜及方法。该方法利用ECR等离子体加工系统通过氩等离子体溅射沉积碳膜和氧-氩等离子体刻蚀已沉积碳膜两个过程来实现，克服了直接沉积超薄碳膜容易出现的无法形成均匀连续薄膜的缺点，具有重要的应用价值。本发明制备的超薄碳膜，其膜厚范围为1.5～3.5nm，表面均方根粗糙度为0.10～0.12nm。
