交易价格: 面议
所属行业: 自动化元件
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510035761.5
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 上海师范大学
所在地: 上海上海市
摘要:一种用于氮离子太赫兹特征谱线探测的滤波器谐振单元,由半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)衬底和衬底上的金属层构成,半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)衬底的厚度为0.63mm,金属层由依次形成在衬底上的5nm厚的钛金属层和120nm厚的金金属层构成,在金属层中形成有镂空的十字架谐振结构阵列。还提供上述滤波器谐振单元的制造方法。通过本发明加工工艺制造的谐振单元,能够实现1.46THz为中心频率的单频率THz带通滤波器。
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