[00057462]一种Sb/Si异质结构半导体纳米晶薄膜及其制备方法与应用
联系人： 上海师范大学
所在地： 上海上海市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种Sb/Si异质结构半导体纳米晶薄膜及其制备方法与应用，其方法是在晶硅片上，生长一层10nm-100nm厚的非致密的纳米晶薄膜，经热处理纳米晶薄膜与电池片光照面结合牢固，形成异质结构，这种Sb/Si异质结容易在界面形成n型活化层，具有独有的物理效应，可应用于成品及半成品硅基太阳能电池片的增效处理，可以明显提高晶硅电池的光电转换效率。本发明飞方法工艺简单、成本低廉、节能环保、快速高效，适合工业化生产。
