[00057463]一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法
联系人： 上海师范大学
所在地： 上海上海市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法，其首先采用溶胶法将半导体氧化物量子点吸附在石墨纳米晶表面，然后将其作为晶种生长液，在晶硅片上生长沉积。该方法中半导体氧化物量子点/石墨纳米晶的粒径为1～100nm，在晶硅片上均匀生长，利用量子点、异质结及石墨纳米晶独有的特性，提高少子寿命的同时，明显提高晶硅电池的外量子效率，从而提高太阳能光伏电池的光电转换效率。
