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[00057911]一种稀土掺杂TiO2的杂化太阳电池

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610902997.9

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南昌航空大学

进入空间

所在地: 江西南昌市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种稀土掺杂TiO2的杂化太阳电池,其特征在于:稀土掺杂TiO2可有效调控其能级结构。n‑型半导体材料是杂化太阳电池体异质结的核心部分,它不仅是p‑型半导体材料的支撑或吸附载体,而且也是电子的传输载体。TiO2纳米晶作为n‑型半导体,具有高介电常数、长激发态寿命、高能态密度、低电子‑空穴复合率等诸多优点,使其成为理想的电子受体材料。目前所使用的p‑型有机聚合物半导体材料与n‑型半导体TiO2之间存在能级匹配不佳的问题,导致p‑型有机材料中的光生子注入n‑型半导体CB的效率降低,因而掺杂TiO2具有广泛的运用价值,适用于商业化生产。

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