交易价格: 面议
所属行业: 其他新材料技术
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610206658.7
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 四川大学
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所在地: 四川成都市
本发明公开了一种锰掺杂钛铌酸铋钙锂铈基压电陶瓷材料及其制备方法,其特点是该方法是采用传统的固相法制备锰掺杂钛铌酸铋钙锂铈基粉体材料;再通过造粒压片、排胶、烧结和被银测试等传统的电子陶瓷制备工艺制备锰掺杂钛铌酸铋钙锂铈基陶瓷。通过A位锂、铈(Li,Ce)和B位铌(Nb)复合取代降低了钛酸铋钙基(CBT)陶瓷的烧结温度,在较低的烧结温度下明显提高其压电性能并降低其介电损耗,为CBT基陶瓷材料在高温领域实用化起到重要作用。
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