摘要:本发明公开了一种基于闪存页错误特性降低LDPC译码延迟的方法,随着MLC NAND闪存制成工艺的提升,存储单元的尺寸越来越小单元之间的耦合干扰变得更加强烈,引起高的比特错误率,高的比特错误率严重影响着数据的可靠性。具有强纠错能力的LDPC码被广泛使用以保证数据可靠性。然而,当采用LDPC码时,MLC NAND闪存的MSB页和LSB页有着不平衡的译码延迟,LSB页的译码延迟高于MSB页的译码延迟由于LSB页有着较高的比特错误率,造成差的MLC闪存读性能。本发明根据MSB页的译码结果和保存错误模式为LSB页译码提供有利信息用以降低LSB页的译码延迟,从而缩小这两个页之间译码延迟的差距以提高MLC闪存读性能。