[00058889]一种用于单晶生长的石英坩埚及其制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种用于单晶生长的石英坩埚，包括内层和外层，其中，所述内层由0.5mm～2mm的二氧化硅颗粒和100nm以下的纳米二氧化硅制备而得；所述的外层由0.5mm～2mm的二氧化硅颗粒、100nm以下的纳米二氧化硅、稳定相物质和氮化硅按比例制备而成，所述的稳定性物质为氧化钛、氧化锆、氧化铝、氮化钛、氮化铝和氮化锆中的任意一种。本发明将石英坩埚分为内外两层生产，内层是采用合成石英，其中在石英的颗粒尺度上进行控制，包括大颗粒与小颗粒；外层通过加入增强相和稳定相控制石英强度，增强相加入的物质为天然硅砂二氧化硅。本发明的制造方法提供了石英坩埚强度高、耐久性好、外层粘度高等物理性质，因此可以防止高温加热导致的石英坩埚的开裂、漏硅。
