交易价格: 面议
所属行业: 化工生产
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510195661.9
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 武汉理工大学
所在地: 湖北武汉市
摘要:本发明公开了一种利用物理气相沉积方法控制硼碳氮薄膜成分以及化学计量比的硼碳氮薄膜的制备方法。本发明在传统脉冲激光沉积的基础上,通过使用石墨‑硼二元拼合靶材在氨气气氛下制备组成与化学计量比均可控的硼碳氮薄膜,克服了传统制备技术中由于靶材成分限制难以在较大范围内控制硼碳氮薄膜组成的不足,通过设计二元靶材、控制靶基距、沉积温度、沉积气氛等沉积条件,得到一种可以在大范围内连续控制材料组成的硼碳氮薄膜制备方法。
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