[00059215]一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/ 硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点，在降低器件成本的同时，能够实现太阳能的有效转换。
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/ 硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点，在降低器件成本的同时，能够实现太阳能的有效转换。
