交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510677976.7
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 华中科技大学
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所在地: 湖北武汉市
摘要:本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法,利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结,在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现,金属钯薄膜采用磁控溅射法实现,钯薄膜作为背电极,金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高,制备方法简单易行,成本低,具有广泛应用前景。
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