[00059502]一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法
技术详细介绍
本发明公开了一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法，包括作为基底的平面ITO导电玻璃，化学刻蚀的ZnO纳米管模板，在ZnO纳米管模板中电沉积的Ag纳米线。本发明首先在ITO导电玻璃上水浴生长ZnO纳米棒；其次用NaOH溶液溶解ZnO纳米棒的中心部位，形成ZnO纳米管；以上述ZnO纳米管为模板，采用循环伏安法在其空心结构中电沉积Ag纳米线；最后用高浓度的NaOH溶液溶解ZnO纳米管模板。该方法以ZnO纳米管取代常规的AAO模板，不仅可在任何形状的导电基底上电沉积Ag纳米线，也可通过调节ZnO纳米管的孔径和深度等参数制备尺寸和形貌可控的Pt和Cu等金属纳米阵列结构。
