[00059509]一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法
技术详细介绍
本发明提供了一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法，首先采用原子层沉积法在Si基底上制备Al2O3薄膜，然后采用光刻工艺将纳米台阶平面图形转移到Al2O3薄膜，通过湿法刻蚀对样品进行腐蚀，去除掩蔽层，得到纳米台阶结构；所得的纳米台阶具有表面粗糙度小，高度可控的特点，能够为纳米台阶样板的制备提供一个新的方法。
本发明提供了一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法，首先采用原子层沉积法在Si基底上制备Al2O3薄膜，然后采用光刻工艺将纳米台阶平面图形转移到Al2O3薄膜，通过湿法刻蚀对样品进行腐蚀，去除掩蔽层，得到纳米台阶结构；所得的纳米台阶具有表面粗糙度小，高度可控的特点，能够为纳米台阶样板的制备提供一个新的方法。
