[00006438]一种高探测效率的单光子雪崩二极管探测器阵列单元

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510633246.7

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：邱老师

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所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种高探测效率的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元为环绕式P-注入加P埋层和P-埋层保护的深P阱的SPAD结构，即：在P型衬底中通过离子注入形成深P阱，深P阱中有两个埋层区，即P埋层区3和P-埋层区4，P-埋层区4的上面有P-注入区8环绕。该阵列单元结构能够有效地提高SPAD器件的光子探测效率，且暗计数率很低，很好地提高了SPAD探测器的整体性能。

[00006438]一种高探测效率的单光子雪崩二极管探测器阵列单元

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