[00006476]一种钛菁铜忆阻器
技术详细介绍
本实用新型公开了一种钛菁铜忆阻器
忆阻器属于有机电子和信息技术领域。该忆阻器包含第一电极、第二电极和介于两电极之间的阻变层，其中阻变层以钛菁铜作为活性层，还可以包括MoO3的缓冲层。本实用新型的忆阻器属于电荷捕获/释放型机制，对比电化学还原金属丝型机制忆阻器，具有明显的器件产率高、输出可重复性好、性能稳定以及抗饱和能力强等优势，忆阻器还表现出有机忆阻器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。
忆阻器属于有机电子和信息技术领域。该忆阻器包含第一电极、第二电极和介于两电极之间的阻变层，其中阻变层以钛菁铜作为活性层，还可以包括MoO3的缓冲层。本实用新型的忆阻器属于电荷捕获/释放型机制，对比电化学还原金属丝型机制忆阻器，具有明显的器件产率高、输出可重复性好、性能稳定以及抗饱和能力强等优势，忆阻器还表现出有机忆阻器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。
