交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN200810046209.6
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 四川大学
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所在地: 四川成都市
摘要:具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池,属于新能源材料与器件领域。采用Te作为缓冲层沉积在HNO3-H3PO4-H2O(NP)腐蚀后的碲化镉薄膜表面和背接触层之间的一种碲化镉太阳电池。添加的缓冲层Te,一方面,可以与腐蚀出来的富Te层形成良好的晶格匹配,同时降低了与CdTe之间的势垒高度。另一方面,可形成组分和结构单一且性质稳定的CuxTe,或者阻挡杂质离子的扩散,尤其避免了其在腐蚀后的晶界上迅速扩散。因此,可增加转换效率和旁路电阻,提高器件的性能,有利于CdTe薄膜太阳电池的规模化生产。
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