[00061322]一种产生负微分电阻的共振隧穿二极管
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种产生负微分电阻的共振隧穿二极管有源区新型结构，该结构可产生安培级输出电流，应用于太赫兹信号源设计可产生瓦级太赫兹信号输出功率。所发明共振隧穿二极管的有源区中量子阱由AlGaN/GaN/AlGaN双势垒单势阱结构组成；量子阱夹在阶梯异质结构的AlxGa1-xN隔离区和GaN隔离区之间；这三层三明治结构又夹在n型AlN发射区和n型GaN集电区之间。集电区和发射区是欧姆接触区，采用重掺杂，其余区域都不掺杂。发射区和集电区的作用在于形成欧姆接触，和两个电极相连；量子阱区域作用在于形成量子共振隧穿效应，从而获得负微分电阻；阶梯式异质结构的隔离区的作用在于形成二维电子气，降低集电区耗尽电场，提高输出电流。理论分析和仿真温度在室温下（300K）进行获得了目前共振隧穿二极管研究报道中最大电流的负微分电阻区域。
