[00061324]一种无铜籽晶互连用碳化钼掺杂钌基合金扩散阻挡层制备工艺
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种碳化钼掺杂钌基合金（RuMoC）扩散阻挡层制备工艺，它涉及超深亚微米集成电路后端互连结构中铜（Cu）与氧化硅基绝缘介质（SiOC：H）之间一种新型扩散阻挡层的制备工艺。本发明沉积的RuMoC(5nm)阻挡层热稳定温度可达600℃以上，能有效地抑制铜原子朝氧化硅基介质体内扩散。采用该工艺制备的RuMoC(5nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
