交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 实用新型专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201621351373.4
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 湘潭大学
所在地: 湖南湘潭市
摘要:本实用新型公开了一种开合式三维沟槽电极硅探测器,在硅体上贯穿刻蚀后经过扩散掺杂形成开合式沟槽电极、中央电极,开合式沟槽电极环绕于中央电极之外,中央电极接负极,开合式沟槽电极接正极,开合式沟槽电极为存在开口、不连续的圆柱结构;探测器最底端设有二氧化硅保护层。本实用新型使死区面积最小,工作时粒子能够双面入射,反应更为灵敏;解决了现有技术中三维硅探测器只能单面刻蚀,粒子只能单面入射,且存在死区,影响探测器探测性能的问题。
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